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2017年1月26日 (木)

N-MOS Inrush Current Limiter

10000uFのキャパシタを200mA以下で充電できるといいなぁとおもいました。

CCSでの制御方法以外で......

突入電流制限はNTCやインダクタを介すと緩和できますが特性が緩いと思います。

下図で突入電流を制限できる対策を試みました。

電解コンデンサのESRを100mΩ位と仮定するとN-MOSの1.6mΩは無視できると思います。

20170126_222455

VgをInrush対策した時のVgs vs Drain Currentです。

入力電圧は3.3Vから24Vまで スパイクが皆無で10000uFをチャージできました。

20170126_222709

200mA に拘ったのは、以下のDC/DCコンバータの出力に10000uFをぶら下げたいと
考えたからです。

DC/DC Converterの電流制限から接続できるキャパシタは仕様に記されています。

下図のDC/DCは100uF max.ですが.......10000uFも大丈夫という結果になりました。

突入電流制限ができると仕様のキャパシタ容量の呪縛から解放されます。

20170126_222602

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