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2018年3月29日 (木)

Ideal Diode Bridge Controller(LT4320)_3

MOS FETのオン抵抗の違いによる発熱を調べてみました。

12V_3A出力のトランスをシリーズ接続にして24V_3Aとして
Ideal Diode Bridge Controller基板の入力とします。

20180329_1845

出力は電子負荷で3Aにしました。

20180329_184535

裏がサーマルパッドもSOICパッドにカプトンテープで養生すると実装できます。

20180329_184956

4種類のMOS FET基板です。

20180329_184806

20180329_184853

出力電圧は26.4Vで負荷電流が3Aの温度上昇の結果は

下表のようになりました。

Bは秋月さんの基板に使用されているMOS FETです。

4個使用でMOS FETだけで1.000円になりますが

この基板の放熱で3Aは全く問題ありません。

Aは耐圧が30Vですがオン抵抗は小さいので出力電圧が20V未満の時は

選択の余地は大だと思います。

 Cは出力電流が3A未満の時はコスパが優れて採用できます。

Dも同様に使用できますが温度は上昇します。

20180329_190617

温度測定は30分程通電してから行いました。
もう少し電流を流して様子見をしようと考えましたが
定格3Aのトランスを定格いっぱいで通電していたので.....手が触れない程過熱していました。
*
余談ながら国産には無いこのアリゲータ・クリップは強力です。
今回のように流す電流が大きい場合は重宝します。

20180329_185019

ちょっと古いスペックかもしれません。

これを放熱器に取り付けて同じ条件の3Aを通電してみます。

20180329_202256

あっという間に温度が上昇し放熱器は手で長時間さわれません。

LT4320でのMOS FETブリッジは発熱もトポロジーもCoolでした。。

20180329_202521

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