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2018年5月16日 (水)

LT4320+GS61008T(GaN)_LTspice(3)

負荷電流によるLT4320アッパー・サイド・ゲート電圧の挙動。

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16.アナログ回路(Tips)」カテゴリの記事

コメント

わざわざ15,900uFでシミュレーションしていただきありがとうございました。
残念ながら、10,000uFとの違いの意味するところが良く理解できていなくて、申し訳ございません。

10.000uFとの差異は見受けられません。
Evans キャパシタを測定したついでにシミュレーションに反映させました。
ESRは低めに設定していますが 30mΩにしてもほぼ同じ結果でした。
負荷電流100mAの条件がBunpeiさんの環境に近いと思います。

LT4320+GS61008T(GaN)_LTspice(2) のシミュレーションではAC波形の頭がつぶれていましたがこれはシミュレータが安定状態に達していない状態を見ているということなんでしょうか?今回のシミュレーションを見ると時間経過とともに綺麗な正弦波になっているようですね。

ラベルG1がこの位置だと、D1だけがLT4320と直結になりませんか?

sotaro様
画面をキャプチャーする際に体裁を整えようと抵抗を移動した結果でした。
シミレーションは抵抗を通してからZDになっています。
ご指摘ありがとうございました。

LTspiceをダウンロードして同じ回路で自分もシミレーションしてみました。
電源の内部抵抗(というか出力抵抗というか)でこんなに変わるんですね。それ以外にも色々面白いです。トップゲートの波形がひげ状に細くなっているのはこの方が特性が良くなるのでわざわざ狙っているのですね。今回のシミュレーションで100mAのグラフで正弦波のピークが欠けていないように見えるのはトップゲートのON期間が短くなっているので欠け期間が非常に短くなっているということでした。ゲート電圧は5〜6Vがよろしいというメーカーの指示がありますが実際にこれで動けばこの方が特性的には良いかもしれません。要確認ですね。

tetu様
追試をありがとうございます。
電源の直流抵抗分の影響が意外とあること、また
トップゲートの挙動は負荷電流とトランスの直流抵抗が相互に絡んでいるようにみえます。
パターン設計中の基板には2.54mmピッチのφ1でG−Sをモニター出来るランドをもうけました。
基板は設計中です。

mouserのGS61008Tの在庫が現在0で8月まで入荷しないようですが、在庫のあるGS61008Pは、設計中の基板で使用できるのでしょうか?

げ、9月分まで予約埋まってるじゃないですかw

GS61008Pはゲートのピン・アサインが異なります。
集中して時間は取れない状態で
パターン設計は始めたばかりなのでいかようにでも変更は可能です。

私は、sotaroさんがその存在を教えてくださって、私の用途では高耐圧を必要としないこと、ゲート容量よりも内部抵抗が小さいことを優先し、最大の条件として銅板を放熱パッドにハンダ付けしやすいことを考慮し、GS61008Tを選択しました。他の型番の製品の方が今回の理想ダイオードブリッジ整流回路の目的にかなっているならば、そちらを選択し直すのが良いと思います。

LTspiceに内蔵のLT4320+MOSFET(IPD220N06L)のシミュレーションを実行してみるとアッパーゲートが開いた時間だけパルス状に3A程の電流が10000uFを充電するために流れます。後の時間はMOSはOFF状態です。ボトム側は寄生容量の充放電だけですからnegligible。
ゲートが開いている時間は多くても全体の5分の1位でしょう。定性的にはGS61008も同じようなものでしょうからエイヤと計算すると、GS61008の内部抵抗7mΩ x 3A↑2 x (1/5) = 12.6mW 程度の消費電力(トップゲート2ヶ分で)ですから知れたものではないでしょうか?実際Bunpeiさんは現物を使用状態で触ってみるとほとんど感じないのじゃありませんか?

という訳で提案します。
おもちゃ箱さんにはGS610080P用にパターンを描き直して頂いて、その際放熱パッド用のランドを上からコテで触れるぐらいの微小領域を確保して頂くという線でどうでしょうか?

GS610080P用にパターンを描き直してみます。

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