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2018年6月15日 (金)

GS61008Pの半田付け

GS61008Pの実装は
1st:Gate(TH)とSSランド(TH) に予備半田をしますがスルーホールを埋める程度に
       抑えてください。
2nd:GS61008Pの位置極めは下図のGaN4に着目してください。
3rd:シルク印刷の外形線が確認できる位置がベスト位置で先の細い半田ごて
       G or SSランドを加熱しながら0.5φの半田を流し込みます。
       ランドはTH接続になっていますので加熱の具合で半田は吸い込まれます。
4個のGaNを上記処理をしたあとは半田面をみてください。
半田が半田面まで十分に流れていないときは液体フラックスの力を借りながら
再度部品面から加熱します。
Last: ドレンとソースパターンはベタパターンなので半田コテに熱容量が要求されます。
       一気に時計周りでも反時計回りで構いませんので順番に半田を流し込みます。
           基板は勿論GaNもToo Hotな状態です。
GaNを半田付け後にZDとRを半田付けします。
GaNを交換した経験から過度な時間を要しなければ熱で壊れることはないです。
過度な時間とは加熱して取りはづすまで10秒位と考えます。
上記方法で13枚を組み上げ、12枚を納品しました。
1枚は見本としての在庫です。

20180615_205228_3

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16.アナログ回路(Tips)」カテゴリの記事

コメント

わざわざ解説までありがとうございます。でも心配はご無用です。
自作する人間にとっては難しい方が楽しいのですから。難しい理由も良くわかっています。

ところでMOST版の方は2枚組んで音の確認をした結果 LT4320は傑物であるとわかりました。使いこなすのがとても難しいですが。2枚目の(LT4320-1 + MOST(インフィニオン))版をあと1week程鳴らし込んで落ち着いてきた音を確認してから、GaN版の方の確認をしてまとめて結果を報告するつもりです。今現在では未だGaN版の方は
LT4320-1の装着もしていない段階。

その後更に立て続けに2ケゲートが壊れました。(従って3/6が壊れたことになります)私はM社の高周波半田ごてを使っておりこいつが怪しいなということで、最後の3ケ目についてはゲートとSSのみこのコテで2,3秒でチャチャッと半田付けし、後のはんだ付けは無しでゲート-SS間をテスタチェックしました。この時点でリーク、基板から外して測定すると素子のゲート破壊が確定しました。(当然初期は正常というチェックはしてあります)GS61008Pの資料を読むとゲートにPN接合は存在しないとありますから多分ショットキーバリア構造でしょう。このコテを使用したことによる静電破壊だろうと推測します。熱破壊ではないです。誰か他に高周波半田ごてを持っている人が追試験すれば分かるんですが。その後古典的な半田ごてを使用してじっくり熱を印加しても問題なく良品でした。

という訳で1枚を仕上げ、動作確認まで実施しました。シミュレーションでも分かるんですが交流波形が上下左右対象でない場合は条件によっては交流の1周期のうち半分しか整流しないケースが発生します。我が家の東京電力所管の200V波形を使用してオシロで無負荷時の充放電電位を観測すると20msec周期でした。整流しない訳ではないので困る訳ではありませんが。

tetuさん、情報ありがとうございます。私も高周波半田ごてを常用しているので、
危ないところでした。クリーム半田を使ってリフローかヒートガンで半田付けする
ことにします。ただサンハヤトのクリームはんだシリンジのチップが太すぎないか
心配です。はじめメタルマスクをFusionかElecrowに注文しようと思ったのですが、
ガーバーデータが無いとのことで断念。

sotaroさん
追試してもらえると嬉しいですが1000円弱をドブに捨てることになるので無理強いはしませんw

tetuさん
やっぱり飯代にまわしますw

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