0.025db step ATT
注意:長期的に0.1db以下は
接点の接触抵抗でATT値に影響がでるかもしれません。
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注意:長期的に0.1db以下は
接点の接触抵抗でATT値に影響がでるかもしれません。
JFETのVgs vs Drain Current特性を観測する為のカーブ・トレーサーを創りました。
J112のVgs-Id特性です。10個を測定してみました。
横軸はフルスケール10mSで5Vなので2mS/Vになります。
また極性はマイナスです。10mS=-5V
上記データはAnalog Discoveryで収集しExcelでまとめました。
下図のオレンジ色はゲート印可電圧波形でリニアリティに優れています。
0Vからー5Vまでを10mSでスイープしています。
右はXーYプロット・モード表示です。
左上のVgs vs Idカーブを収集しました。
10Ωの抵抗が銅板に10個並列接続されたヒーターが2組あります。保温材に囲まれたケースで覆い2A流すと10数分で60℃くらい迄上昇します。
中央の金属部は温度センサーです。
この写真はサーモスタットを実装していない状態です。
実際は最初の写真のように
サーモスタットで加熱防止としています。
グラフを見ると5mA~40mA位迄の4種類の幅があるように見受けられます。
国産品の色づけによるIdssのランク分けがカタログには無いけれどあるのかもしれないと推測しています。
今回の秋月購入のJ112はIdssが40mA前後,2mA通電時のVgsがが2.47〜3.14Vでした。
このVgs値(2mA)はとても魅力的な電圧値です。
その理由は.................2mA時のVgsが理論上のZeroTCに限りなく接近しているからです。
これに気を良くして40個を追加購入し測定しましたが
すべて近似したデータが得られています。
上記、Vp((Vgs(off))と2mA通電時の正確なVgs測定の為にこのような治具も創りました。34461AのProbe Hold機能はとても便利で
特にIdss測定は時間管理が必要ですが、ほぼ同じタイミングで測定表示してくれる事は再現性の面で信頼できるデータが得られます。
0.20036表示はFETに2.0036mAを通電していたという確認表示です。
JFETはじゃじゃ馬................
じゃじゃ馬を調教して駿馬にしましょう。
参考資料00-0.Made in Tokyoのお知らせ 01-0.Made in Tokyo(LT3042) 01-1.Made in TOKYO(IAI) 01-2.Made in TOKYO(USB) 01-4.Made in TOKYO((LT4320) 01-5.インピーダンス・アナライザ(Made in TOKYO) 01-6.Low Noise Pri Amplifier 02-1.LT3042 Measurments 02-2.LT3042 Catalog 02-3.LT3042 Manual 02. Linear Regulator 03.Analog Discovery 04.Head Phone Amplifier 05.Linduino 06.DIY JIG 07.Measurments 08.Switching Regulator 09.DAC,I/V Convertor 10.XMOS & Amanero 11.USB Peripheral,USB Isolator 12-1.High Impedance Analyzer for Analog Discovery 12-2.Low Impedance Analyzer for Analog Discovery 13.ESP8266 14.DIY Instruments 15.Simulation 16.アナログ回路(Tips) Toy 日記・コラム・つぶやき
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