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2017年8月25日 (金)

0.025db step ATT

0.025dbStepでmax.6.375db ATT基板を組上げてを実測しました。

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スイッチを全てオフの周波数特性は300MHz@-0.35dbでした。
この特性がATT基板の挿入損失になります。
*
10MHzでの損失は-0.03dbです。

1all_off

10MHzにおいて0.025db_ATT_SW_ON時の実測値は0.0257dbでした。

20025db

10MHzにおいて1db_ATT_SW_ON時の実測値は0.999dbでした。

51db

100MHz以上を改善したい時は各スイッチを銅箔でシールドしてあげると良いです。
下図は試作時のATT基板でスイッチを銅箔で囲んでいます。

7

その時の挿入損失です。
上から2枚目の特性と比較して下さい。

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製作した基板の50Ωになるようなパターン幅とギャップは功を発しているようです。
*
今回のような減衰率のATTに興味を持つ方はあまりいないと思いますが参考までに
定数を記しておきます。

20170825_220149_2

8att_pcb_solder_side

RseriesとRshuntは0805(1%)を並列接続して計算値に近づけてあります。

20170825_220211

注意:長期的に0.1db以下は

         接点の接触抵抗でATT値に影響がでるかもしれません。

         トグル・スイッチの初期抵抗値は実測で10mΩ以下でした。

2016年1月15日 (金)

ペルチェ素子でミニ・ミニ恒温槽(2)

写真のみです。

20160115_201658

20160115_201842

20160115_202129

20160115_202047

20160115_201946

1V=100℃

20160115_201930

2015年12月25日 (金)

ペルチェ素子でミニ・ミニ恒温槽(1)

何年か前に....王で購入したもの。

20151224_212814

上記の放熱器とペルチェ素子のみを流用してミニミニ恒温槽の実験。

容積がミニなので80℃は問題無くクリア。

ファン:OFF .

20151224_212753

大きめのファンで放熱してあげるとミニミニなので0℃までOK。

ファン:ON .

20151224_212740

ダイキャス・ケースと放熱器とはペルチェ素子を挟んで
熱絶縁の目的でポリカーボネートねじで固定している。

放熱器とダイキャスト・ケースの隙間も断熱すると良い結果が得られました。20151224_222648

つづく

2015年12月21日 (月)

JFET Curve Tracer

JFETのVgs vs Drain Current特性を観測する為のカーブ・トレーサーを創りました。

20151221_215354

J112のVgs-Id特性です。10個を測定してみました。

横軸はフルスケール10mSで5Vなので2mS/Vになります。

また極性はマイナスです。10mS=-5V

20151221_222059

上記データはAnalog Discoveryで収集しExcelでまとめました。

20151221_214502

下図のオレンジ色はゲート印可電圧波形でリニアリティに優れています。

0Vからー5Vまでを10mSでスイープしています。

右はXーYプロット・モード表示です。

左上のVgs vs Idカーブを収集しました。

20151221_211820

10Ωの抵抗が銅板に10個並列接続されたヒーターが2組あります。

保温材に囲まれたケースで覆い2A流すと10数分で60℃くらい迄上昇します。

中央の金属部は温度センサーです。

この写真はサーモスタットを実装していない状態です。

実際は最初の写真のように
サーモスタットで加熱防止としています。

20151221_214953

その挙動を観測すると下図のようなデータが得られました。
Analog Discoveryにも残光機能はありますが
このスコープ残光表示機能には及びませんでした。

20151221_215112

カーブ・トレーサ表示のみでしたらは
今回のようなハードを組み立てなくてもAnalog Discoveryの波形発生器を使うとカーブ・トレーサは実現できます。
スコープでも表示させる為にハードで組上げました。
*
J112のデータシートからの抜粋です。
Idssは5mAmin.となっていますが

20151221_224436

グラフを見ると5mA~40mA位迄の4種類の幅があるように見受けられます。

国産品の色づけによるIdssのランク分けがカタログには無いけれどあるのかもしれないと推測しています。

今回の秋月購入のJ112はIdssが40mA前後,2mA通電時のVgsがが2.47〜3.14Vでした。

このVgs値(2mA)はとても魅力的な電圧値です。

20151221_224519

その理由は.................

2mA時のVgsが理論上のZeroTCに限りなく接近しているからです。

これに気を良くして40個を追加購入し測定しましたが

すべて近似したデータが得られています。

20151221_230040

上記、Vp((Vgs(off))と2mA通電時の正確なVgs測定の為にこのような治具も創りました。
6個を切り替えて測定できます。

34461AのProbe Hold機能はとても便利で

特にIdss測定は時間管理が必要ですが、ほぼ同じタイミングで測定表示してくれる事は再現性の面で信頼できるデータが得られます。

0.20036表示はFETに2.0036mAを通電していたという確認表示です。

20151221_214306

JFETはじゃじゃ馬................

じゃじゃ馬を調教して駿馬にしましょう。

20151222_001511

参考資料

Test Jig for Measuring JFETs

FET & CRD選別治具

2015年11月 8日 (日)

J211 CCS(Constant Current Source)

MultiSimでのシミュレーション結果です。

下記回路図で2N4392はJ211に内部を書き換えてあります。

20151108_122759

J211の代わりに抵抗を接続した時のインピーダンス測定は青色です。

インピーダンス確認の為と後になっても自分で判りやすいようにプロットしてあります。

Q2のみが「J211 2mA」です。

Q1+Q2のカスケード接続が「J211 2mA Cascade」です。

20151108_122212_2